無(wú)塵車(chē)間溫濕度主要根據(jù)加工工藝要求確定.. 在滿足加工工藝的條件下，應(yīng)將人的舒適性作為首選。凈化實(shí)驗(yàn)室均已通過(guò)醫(yī)藥潔凈檢測(cè)中心檢測(cè)，為萬(wàn)級(jí)潔凈實(shí)驗(yàn)室。主要開(kāi)展項(xiàng)目為：CIK細(xì)胞免疫治療、DC－CIK免疫治療、超級(jí)免疫粒細(xì)胞治療等?？諝庹{(diào)節(jié)系統(tǒng)必須可靠運(yùn)行，采用先進(jìn)技術(shù)，合理利用和節(jié)約能源與資源，保證環(huán)境的質(zhì)量和安全，為實(shí)驗(yàn)人員提供所需要的溫度和濕度，保障生物實(shí)驗(yàn)在安全的條件下進(jìn)行，以確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果得準(zhǔn)確性。實(shí)驗(yàn)室凈化參與多個(gè)醫(yī)療重點(diǎn)課題的實(shí)驗(yàn)和臨床研究，同時(shí)參加國(guó)際會(huì)議和國(guó)內(nèi)重點(diǎn)峰會(huì)論壇，為當(dāng)今的細(xì)胞免疫治療和癌癥/肝病患者奉獻(xiàn)了自己的一份力量。潔凈實(shí)驗(yàn)必須控制實(shí)驗(yàn)室的潔凈度，對(duì)新風(fēng)進(jìn)行過(guò)濾，使實(shí)驗(yàn)室達(dá)到一定的凈化要求。其中排風(fēng)系統(tǒng)是重點(diǎn)，對(duì)于保證實(shí)驗(yàn)室相對(duì)負(fù)壓環(huán)境和有效過(guò)濾室內(nèi)污染排風(fēng)起著重要的作用。凈化工程的具體過(guò)程有不同的溫度要求，但作為一般原則，隨著加工精度越來(lái)越精細(xì)，對(duì)溫度波動(dòng)范圍的要求越來(lái)越小。
例如，在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的平版曝光過(guò)程中，玻璃和硅片作為掩模材料的熱膨脹系數(shù)的差別越來(lái)越小。直徑為100微米的硅片在溫度升高1度時(shí)會(huì)引起0.24微米的線性膨脹。因此，有必要保持恒定的溫度？0.1度，濕度值一般較低，因?yàn)楫a(chǎn)品出汗后會(huì)受到污染，特別是在半導(dǎo)體車(chē)間，怕鈉，不應(yīng)超過(guò)25度。
濕度過(guò)大會(huì)造成更多的問(wèn)題。當(dāng)相對(duì)濕度大于55%時(shí)，冷卻管壁會(huì)凝結(jié)，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，會(huì)引起各種事故。相對(duì)濕度為50%時(shí)，很容易生銹。此外，當(dāng)濕度過(guò)高時(shí)，附著在硅片表面的灰塵會(huì)被空氣中的水分子化學(xué)吸附在表面。相對(duì)濕度越高，去除粘附的難度越大，但當(dāng)相對(duì)濕度小于30%時(shí)，由于靜電的作用，顆粒也很容易吸附在表面，大量的半導(dǎo)體器件容易發(fā)生擊穿。硅片生產(chǎn)的最佳溫度范圍為35≤45%。
此外，相對(duì)濕度有許多因素可能會(huì)降低潔凈室的整體性能，包括：細(xì)菌生長(zhǎng)，房間在室溫下感覺(jué)舒適的范圍內(nèi)的靜電荷，金屬腐蝕，水蒸氣凝結(jié)，降解光刻等。
因此，濕度控制是無(wú)塵車(chē)間生產(chǎn)的重要條件。相對(duì)濕度是無(wú)塵車(chē)間和潔凈室運(yùn)行中常見(jiàn)的環(huán)境控制條件。無(wú)塵車(chē)間典型相對(duì)濕度目標(biāo)值控制在30-50%范圍內(nèi)，允許誤差在較窄的范圍內(nèi)。1%。
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