無塵車間溫濕度主要根據加工工藝要求確定.. 在滿足加工工藝的條件下，應將人的舒適性作為首選。凈化實驗室均已通過醫(yī)藥潔凈檢測中心檢測，為萬級潔凈實驗室。主要開展項目為：CIK細胞免疫治療、DC－CIK免疫治療、超級免疫粒細胞治療等。空氣調節(jié)系統必須可靠運行，采用先進技術，合理利用和節(jié)約能源與資源，保證環(huán)境的質量和安全，為實驗人員提供所需要的溫度和濕度，保障生物實驗在安全的條件下進行，以確保實驗結果得準確性。實驗室凈化參與多個醫(yī)療重點課題的實驗和臨床研究，同時參加國際會議和國內重點峰會論壇，為當今的細胞免疫治療和癌癥/肝病患者奉獻了自己的一份力量。潔凈實驗必須控制實驗室的潔凈度，對新風進行過濾，使實驗室達到一定的凈化要求。其中排風系統是重點，對于保證實驗室相對負壓環(huán)境和有效過濾室內污染排風起著重要的作用。凈化工程的具體過程有不同的溫度要求，但作為一般原則，隨著加工精度越來越精細，對溫度波動范圍的要求越來越小。
例如，在大規(guī)模集成電路生產的平版曝光過程中，玻璃和硅片作為掩模材料的熱膨脹系數的差別越來越小。直徑為100微米的硅片在溫度升高1度時會引起0.24微米的線性膨脹。因此，有必要保持恒定的溫度？0.1度，濕度值一般較低，因為產品出汗后會受到污染，特別是在半導體車間，怕鈉，不應超過25度。
濕度過大會造成更多的問題。當相對濕度大于55%時，冷卻管壁會凝結，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，會引起各種事故。相對濕度為50%時，很容易生銹。此外，當濕度過高時，附著在硅片表面的灰塵會被空氣中的水分子化學吸附在表面。相對濕度越高，去除粘附的難度越大，但當相對濕度小于30%時，由于靜電的作用，顆粒也很容易吸附在表面，大量的半導體器件容易發(fā)生擊穿。硅片生產的最佳溫度范圍為35≤45%。
此外，相對濕度有許多因素可能會降低潔凈室的整體性能，包括：細菌生長，房間在室溫下感覺舒適的范圍內的靜電荷，金屬腐蝕，水蒸氣凝結，降解光刻等。
因此，濕度控制是無塵車間生產的重要條件。相對濕度是無塵車間和潔凈室運行中常見的環(huán)境控制條件。無塵車間典型相對濕度目標值控制在30-50%范圍內，允許誤差在較窄的范圍內。1%。
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